Informazioni di Base.
Descrizione del Prodotto
Wafer da 2 / 4 pollici in nitruro di gallio AlN Template su substrati Sapphire , SIC
1. Che cos'è il modello
Utilizziamo il termine "modello" per descrivere i nostri prodotti in quanto diversi dai substrati. Specificamente, una maschera è un substrato composito o ingegnerizzato, in cui uno o più strati sono aggiunti al subbstrato originale.
2.applicazione
LED blu e bianco per illuminazione di locali, display e uso generico
Dispositivi di commutazione di potenza GAN
3.prodotto disponibile
Modelli GAN da 2" a 4" su FSS e PSS
Modelli GAN spessi (t=3~20μm)
Modello GAN con strato di tipo n altamente drogato (n=<1e19/cm3)
Sono disponibili modelli ntype (non drogati), ntype (drogati con si) e Ptype (drogati con mg)
Modelli GAN su sottostazioni zaffiro e substrati in silicio
4. Caratteristiche
| XRD-FWHM | 002 | 102 |
| 3-4μm GAN/Sapphire | 200-300 | 250-450 |
Densità di dislocazione:3.5E+08 cm-2
5. Specifiche
specifica 2 pollici
| Articolo | GAN-FS-C-U-C50 | GAN-FS-C-N-C50 | GAN-FS-C-SI-C50 |
| Dimensioni | Ф 50.8 mm ± 1 mm | ||
| Spessore | 350 ± 25 µm | ||
| Area di superficie utilizzabile | > 90% | ||
| Orientamento | Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0.35°± 0.15° | ||
| Orientamento piatto | (1-100) ± 0.5°, 16.0 ± 1.0 mm | ||
| Orientamento secondario piatto | (11-20) ± 3°, 8.0 ± 1.0 mm | ||
| Variazione di spessore totale | ≤ 15 µm | ||
| ARCO | ≤ 20 µm | ||
| Tipo di conduzione | Tipo N. (Non drogato) | Tipo N. (Drogato GE) | Semi-isolante (Fe-drogato) |
| Resistività (300 K) | < 0.5 Ω·cm | < 0.05 Ω·cm | >106 Ω·cm |
| Densità di dislocazione | 1~9x105 cm-2 | 5x105 cm-2 ~3x106 cm-2 | 1~9x105 cm-2 |
| 1~3x106 cm-2 | 1~3x106 cm-2 | ||
| Lucidatura | Superficie frontale: RA < 0.2 nm. EPI-ready lucidato Superficie posteriore: Macinato fine | ||
| Pacchetto | Confezionato in ambiente di camera bianca classe 100, in contenitori a wafer singolo, in atmosfera di azoto. | ||
specifica 4 pollici
| Articolo | GAN-T-C-U-C100 | GAN-T-C-N-C100 |
| Dimensioni | Ф 100 mm ± 0.1 mm | |
| Spessore | 4 µm, 20 µm | |
| Orientamento | Piano C(0001) ± 0.5° | |
| Tipo di conduzione | Tipo N. (Non drogato) | Tipo N. (Drogato con si) |
| Resistività 300 K. | < 0.5 Ω·cm | < 0.05 Ω·cm |
| Concentrazione del vettore | < 5x1017 cm-3 | > 1x1018 cm-3 |
| Mobilità | ~ 300 cm2/V·s. | ~ 200 cm2/V·s. |
| Densità di dislocazione | Meno di 5x108 cm-2 | |
| Struttura del substrato | GAN su Sapphire(Standard: Opzione SSP: DSP) | |
| Area di superficie utilizzabile | > 90% | |
| Pacchetto | Confezionato in ambiente di camera bianca classe 100, in cassette da 25 pezzi o contenitori a singolo wafer, sotto atmosfera di azoto. | |
6. Immagini del prodotto
Mostra d'oltremare 
DOMANDE FREQUENTI:
D: Qual è il modo di spedizione e i costi?
R:(1) Accettiamo DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS ecc.
(2) se avete il vostro proprio cliente espresso, esso è great.If no, potremmo aiutarli a spedirli.
D: Come pagare?
A: T/T, Paypal, ecc.
D: Qual è il tuo MOQ?
R: (1) per l'inventario, il MOQ è di 5 pezzi.
(2) per i prodotti personalizzati, il MOQ è 10 pz-25 pz.
D: Qual è il tempo di consegna?
A: (1) per i prodotti standard
Per l'inventario: La consegna è di 5 giorni lavorativi dopo l'ordine.
Per i prodotti personalizzati: La consegna è di 2 o 3 settimane dopo l'ordine.
(2) per i prodotti di forma speciale, la consegna è di 4 o 6 settimane lavorative dopo l'ordine.
D: Avete prodotti standard?
R: I nostri prodotti standard a stock.
D: Posso personalizzare i prodotti in base alle mie esigenze?
R: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e il rivestimento ottico per i vostri componenti ottici in base alle vostre esigenze.