Informazioni di Base.
colore
grigio
contenuto principale
96%aln, 97%aln
caratteristiche principali
elevata conducibilità termica, eccellente resistenza al plasma
applicazioni principali
parti dissipanti il calore, parti resistenti al plasma
densità apparente
3.30
durezza vickers (carico 500 g)
10.0
resistenza alla compressione
2500
young’ modulo di elasticità
320
rapporto poisson’s.
0.24
calore specifico
0.74
resistività di volume
>=10-14
rigidità dielettrica
>=15
tangente di perdita
5 *10-4
Pacchetto di Trasporto
imballaggio in cartone
Specifiche
personalizzato
Marchio
innovazione
Origine
Fujian, China
Descrizione del Prodotto
6 pollici 8 pollici 6 " 8 " lati lucidati o lappati AlN alluminio Substrati in wafer di nitruro per la produzione di semiconduttori
I substrati di wafer in nitruro di alluminio svolgono un ruolo essenziale nell'industria dei semiconduttori. Una delle ragioni principali della loro popolarità è il loro profilo termico, che si avvicina a quello del silicio. Questa somiglianza rende I substrati AIN una scelta eccellente per le applicazioni a semiconduttore in cui la gestione termica è critica. Innovacera, fornitore leader di questi substrati, offre substrati in wafer di nitruro di alluminio in vari diametri, da 2 pollici a 8 pollici, con le dimensioni da 6 pollici e 8 pollici che sono le più comunemente utilizzate.
Le caratteristiche del nitruro di alluminio includono:
>alta conducibilità termica
>elevato isolamento elettrico
>bassa costante dielettrica
>resistenza meccanica e stabilità
>resistenza alla corrosione
Stabilità chimica e termica
>alta conducibilità termica
>elevato isolamento elettrico
>bassa costante dielettrica
>resistenza meccanica e stabilità
>resistenza alla corrosione
Stabilità chimica e termica
Le proprietà uniche dei substrati di wafer in nitruro di alluminio li rendono altamente ricercati in varie applicazioni a semiconduttore.
I substrati sono particolarmente apprezzati in: >elettronica di potenza
>dispositivi RF e microonde
>produzione LED
>tecnologia wafer bonding
I substrati in wafer di nitruro di alluminio sono indispensabili nell'industria dei semiconduttori moderni, offrendo una combinazione di conducibilità termica, isolamento elettrico e resistenza meccanica che pochi materiali possono eguagliare. La gamma di wafer in nitruro di alluminio (AIN) Innovacera, disponibili in varie dimensioni e opzioni personalizzate, offre l'affidabilità e le prestazioni necessarie per le applicazioni più esigenti. Con il continuo progresso dell'industria dei semiconduttori, il ruolo dei substrati AIN diventerà solo più critico, garantendo che i dispositivi rimangano efficienti, durevoli e in grado di soddisfare le crescenti esigenze della tecnologia.
| Proprietà del materiale in nitruro di alluminio | ||||
| Materiale | ALN | |||
| N. articolo | C-AN180 | C-AN200 | C-AN220 | |
| Colore | Grigio | Grigio | Beige | |
| Contenuto principale | 96%ALN | 96%ALN | 97%ALN | |
| Caratteristiche principali | Elevata conducibilità termica, eccellente resistenza al plasma | |||
| Applicazioni principali | Parti dissipanti di calore, parti resistenti al plasma | |||
| Densità apparente | 3.30 | 3.30 | 3.28 | |
| Assorbimento dell'acqua | 0 | 0 | 0 | |
| Durezza Vickers (carico 500 g) | 10.0 | 9.5 | 9. | |
| Resistenza alla flessione | >=350 | >=325 | >=280 | |
| Resistenza alla compressione | 2500 | 2500 | - | |
| Modulo di elasticità di Young | 320 | 320 | 320 | |
| Rapporto di Poisson | 0.24 | 0.24 | 0.24 | |
| Resistenza alla frattura | - | - | - | |
| Espansione termica lineare a coefficiente | 40 gradi | 4.8 | 4.6 | 4.5 |
| Conducibilità termica | 20 gradi | 180 | 200 | 220 |
| Calore specifico | 0.74 | 0.74 | 0.76 | |
| Resistenza termica allo shock | - | - | - | |
| Resistività di volume | 20 gradi | >=10-14 | >=10-14 | >=10-13 |
| Rigidità dielettrica | >=15 | >=15 | >=15 | |
| Costante dielettrica | 1 MHz | 9 | 8.8 | 8.6 |
| Tangente perdita | *10-4 | 5 | 5 | 6 |
