Template di Nitruro di Gallio (GaN) su Sottostrati di Zaffiro Wafers di Silicio

materiali: nitruro di gallio
spessore: 3-4 um o 20 um
dimensioni: 2 pollici o 4 pollici

Products Details

Informazioni di Base.

tecnologia di produzione
semiconduttore optoelettronico
materiale
semiconduttore composto
tipo
semiconduttore di tipo n.
pacchetto
smd
applicazione
televisione
marchio
finewin
Pacchetto di Trasporto
scatola
Specifiche
2 pollici
Marchio
finewin
Origine
Jiaozuo City Henan Province
Capacità di Produzione
1000 pz/mese

Descrizione del Prodotto

Modelli di nitruro di gallio (GAN) su substrati di zaffiro/wafer di silicio


1. Che cos'è il modello
Utilizziamo il termine "modello" per descrivere i nostri prodotti in quanto diversi dai substrati. Specificamente, una maschera è un substrato composito o ingegnerizzato, in cui uno o più strati sono aggiunti al subbstrato originale.

2.applicazione
 
LED blu e bianco per illuminazione di locali, display e uso generico

Dispositivi di commutazione di potenza GAN

3.prodotto disponibile

Modelli GAN da 2" a 4" su FSS e PSS
Modelli GAN spessi (t=3~20μm)
Modello GAN con strato di tipo n altamente drogato (n=<1e19/cm3)
Sono disponibili modelli ntype (non drogati), ntype (drogati con si) e Ptype (drogati con mg)
Modelli GAN su sottostazioni zaffiro e substrati in silicio

4. Caratteristiche
XRD-FWHM 002 102
3-4μm  GAN/Sapphire 200-300 250-450
Gallium Nitride (GaN) Templates on Sapphire Substrates/Silicon Wafers

 Densità di dislocazione:3.5E+08 cm-2



5. Specifiche
specifica 2 pollici
Articolo GAN-FS-C-U-C50 GAN-FS-C-N-C50 GAN-FS-C-SI-C50
Dimensioni Ф 50.8 mm ± 1 mm
Spessore 350 ± 25 µm
Area di superficie utilizzabile > 90%
Orientamento Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0.35°± 0.15°
Orientamento piatto (1-100) ± 0.5°, 16.0 ± 1.0 mm
Orientamento secondario piatto (11-20) ± 3°, 8.0 ± 1.0 mm
Variazione di spessore totale ≤ 15 µm
ARCO ≤ 20 µm
Tipo di conduzione Tipo N.
(Non drogato)
Tipo N.
(Drogato GE)
Semi-isolante
(Fe-drogato)
Resistività (300 K) < 0.5 Ω·cm < 0.05 Ω·cm >106 Ω·cm
Densità di dislocazione 1~9x105 cm-2 5x105 cm-2
~3x106 cm-2
1~9x105 cm-2
1~3x106 cm-2 1~3x106 cm-2
Lucidatura Superficie frontale: RA < 0.2 nm. EPI-ready lucidato
Superficie posteriore: Macinato fine
Pacchetto Confezionato in ambiente di camera bianca classe 100, in contenitori a wafer singolo, in atmosfera di azoto.

specifica 4 pollici
Articolo GAN-T-C-U-C100 GAN-T-C-N-C100
Dimensioni Ф 100 mm ± 0.1 mm
Spessore 4 µm, 20 µm
Orientamento Piano C(0001) ± 0.5°
Tipo di conduzione Tipo N.
(Non drogato)
Tipo N.
(Drogato con si)
Resistività 300 K. < 0.5 Ω·cm < 0.05 Ω·cm
Concentrazione del vettore < 5x1017 cm-3 > 1x1018 cm-3
Mobilità ~ 300 cm2/V·s. ~ 200 cm2/V·s.
Densità di dislocazione Meno di 5x108 cm-2
Struttura del substrato GAN su Sapphire(Standard: Opzione SSP: DSP)
Area di superficie utilizzabile > 90%
Pacchetto Confezionato in ambiente di camera bianca classe 100, in cassette da 25 pezzi o contenitori a singolo wafer, sotto atmosfera di azoto.

6. Immagini del prodotto
Gallium Nitride (GaN) Templates on Sapphire Substrates/Silicon Wafers


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DOMANDE FREQUENTI:
D: Qual è il modo di spedizione e i costi?
R:(1) Accettiamo DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS ecc.
  (2) se avete il vostro proprio cliente espresso, esso è great.If no, potremmo aiutarli a spedirli.  
 D: Come pagare?
A: T/T, Paypal, ecc.
D: Qual è il tuo MOQ?
R: (1) per l'inventario, il MOQ è di 5 pezzi.
   (2) per i prodotti personalizzati, il MOQ è 10 pz-25 pz.
D: Qual è il tempo di consegna?
A: (1) per i prodotti standard
     Per l'inventario: La consegna è di 5 giorni lavorativi dopo l'ordine.
     Per i prodotti personalizzati: La consegna è di 2 o 3 settimane dopo l'ordine.
   (2) per i prodotti di forma speciale, la consegna è di 4 o 6 settimane lavorative dopo l'ordine.
D: Avete prodotti standard?
R: I nostri prodotti standard a stock.
D: Posso personalizzare i prodotti in base alle mie esigenze?
R: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e il rivestimento ottico per i vostri componenti ottici in base alle vostre esigenze.



 

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